筑波大学 パワーエレクトロニクス共用システム

利用方法

利用手順について

オープンファシリティーのサイトにて利用手順をご確認ください。

【学内者向け】

※詳しい利用方法は「筑波大学オープンファシリティー予約システム利用者向け運用マニュアル」にも記載しております。

【一般向け】

共用機器一覧

部屋内機器配置図
【部屋内機器配置図】

IRエミッション顕微鏡

IRエミッション顕微鏡
装置

型式:THEMOS-1000

メーカー:東機通商株式会社


検出波長:3.7µm~5.1µm

最小空間分解能:2.8µm、時間分解能:3µsec

雑音等価温度差:25mK

用途

半導体デバイスの故障に起因する発光・発熱などをとらえて故障個所を特定する高解像度エミッション顕微鏡です。


本装置にはInSbHRカメラが搭載されており裏面観察時においても高解像度・高コントラストで細部に渡ってクリアなパターン像を得ることが可能です。また発熱分布の時間依存性計測により、温度の時間的な広がりが観測できます。

詳細

機器の詳細情報、予約状況等は下記サイトにてご確認ください


【学内者向け】


【一般向け】

極低温プローブステーション

極低温プローブステーション
装置

型式:CMPS-308-4K-6P-20

メーカー:東機通商株式会社


冷却時間:4K台まで5時間以内(He極低温冷凍機を使用)

温度安定性:±0.2 K以下、ホルダー振動値:±2µm以内

電流ノイズ:±50fA以下、リーク電流:±50fA以下

マニピュレータ:4基

計測器としてB2912Aを設置(2ch SMU, 10fA, 210V)

用途

さまざまな試作デバイスを、極低温(数 K)から室温に至る広い温度領域での電気特性を低ノイズ状態で測定できます。極低温下で動作するデバイスの原理解明や新たなデバイス作製に役立てられます。


パワーデバイス特性評価装置を接続することにより、C-V特性の測定もできます。また、ご使用者様が測定装置を持ち込むことも可能ですので、使い慣れた計測機器での測定もできます。

詳細

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【学内者向け】


【一般向け】

パワーデバイス特性評価装置

パワーデバイス特性評価装置
装置

型式:B1505A, N1259A, N1258A

メーカー:アジレント・テクノロジー株式会社


電圧・電流特性

印加電圧:3000V

電流:20A(パルスモード)


容量・電圧特性

測定周波数:1kHz~5MHz

印加電圧範囲:3000V

用途

高電圧・高電流を扱うパワーデバイスの印加電圧に対する流れる電流の特性を計測する装置です。耐圧試験、オン抵抗測定、高電圧CV測定ができ、サブpAレベルから1500A/10kVのI-V測定および3000Vまでのバイアス印加下でのCV測定ができます。また、オン抵抗測定や耐圧測定の他、Ciss(入力容量)、Coss(出力容量)、Crss(帰還容量)などの容量測定が可能です。

Si以外にも、SiC、GaN、ダイヤモンドといった新しい半導体材料を用いたパワーデバイスの電気的特性が評価できます。


詳細

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【学内者向け】


【一般向け】

ドライエッチングシステム

ドライエッチングシステム
装置

型式:CDE-7-4

メーカー:芝浦メカトロニクス株式会社


CF4、 O2、 N2、 Arガスのマイクロ波プラズマによるエッチング

6インチウェハー対応(これよりも小さな試料も可)

枚葉式

用途

ラジカルによる低ダメージの等方性ドライエッチング装置です。マイクロ波プラズマで生成されたラジカルにより、SiやSiO2など様々な材料のエッチングが可能です。リモートプラズマ方式であるため、プラズマダメージが入りません。


6インチウェハーに対応していますが、数ミリ角の小さな試料も処理することができます。試料導入室には最大25枚の6インチウェハーをセットすることができ、すべて自動で処理することが可能です。

Siの表面や溝の平滑化・DRIE後のスキャロップ除去などが可能です。

詳細

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【学内者向け】


【一般向け】

超高温炉

超高温炉
装置

型式:SR1800TS

メーカー:株式会社サーモ理工


加熱方式:赤外線導入加熱方式、加熱面積:φ15mm

最高到達温度:1800 ℃、最大昇温速度:300 ℃/sec

最大到達真空度:5x10-5 Pa

用途

RTA(Rapid Thermal Annealing)装置


真空中で試料加熱を行うことができ、最大昇温速度は300 ℃/sec、1800 ℃まで30秒以内で到達することができます。昇温速度、熱処理時間等をプログラムすることが可能なため、詳細な熱処理条件の設定ができます。


装置内へのガス導入にも対応していますので、真空のみならず、様々な雰囲気下での熱処理が可能です。

試料ホルダーはグラファイト製に加え、石英製も備えられておりますので、酸化性雰囲気での熱処理も可能です。

詳細

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【学内者向け】


【一般向け】

光電子分光(XPS/UPS)装置

光電子分光(XPS/UPS)装置
装置

型式:JPS-9010MC

メーカー:日本電子株式会社


光源:Al Kα、Mg Kα、He I、He II

分析領域:φ0.2-6mm

加熱ホルダー:500℃まで

用途

サンプル表面下数ナノ(~5㎚まで)の情報を分析する装置で、Li~Uまでの定性・定量分析、化学結合状態分析が行なえます。

表面構成元素の解析や結合エネルギーから化学状態の推定ができ、高速イオン銃を使用することにより表面から物質内部までの組成分布分析(深さ方向分析)を行うこともできます。


傾斜法(角度分解測定)や全反射測定もでき、加熱ホルダーを使用すればサンプルの加熱も可能です。

加えて、付属のUPSを使用することにより試料表面の価電子帯の計測や仕事関数の測定も可能です。

詳細

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【学内者向け】


【一般向け】